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Samsung 860 Evo 4TB 2.5"

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Silicon Power AIC3C0P 3.2TB

Silicon Power AIC3C0P 3.2TB
比較対象より高ランクの勝者
vs
vs

比較で明らかになった9つの理由

Samsung 860 Evo 4TB 2.5" vs Silicon Power AIC3C0P 3.2TB

Samsung 860 Evo 4TB 2.5"
Silicon Power AIC3C0P 3.2TB

Samsung 860 Evo 4TB 2.5"がSilicon Power AIC3C0P 3.2TBよりも優れている理由は何ですか?

  • 800GB大きな蔵ストレージ
    ?

    4000GBvs3200GB
  • 0.5million hours長いMTBF
    ?

    1.5million hoursvs1million hours
  • 500G強いショック耐性
    ?

    1500Gvs1000G
  • 2長い保証期間
    ?

    5vs3

Silicon Power AIC3C0P 3.2TBがSamsung 860 Evo 4TB 2.5"よりも優れている理由は何ですか?

  • 2650MB/s速いシーケンシャル読み込み速度
    ?

    3200MB/svs550MB/s
  • 1330MB/s速い最大シーケンシャル書き込み速度
    ?

    1850MB/svs520MB/s
  • 652000IOPS速いランダム読み込み速度
    ?

    750000IOPSvs98000IOPS
  • 290000IOPS速い最大ランダム書き込み速度
    ?

    380000IOPSvs90000IOPS

価格比較

Samsung 860 Evo 4TB 2.5"

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$359.99

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一般情報

1.内蔵ストレージ

4000GB

3200GB

内蔵ストレージとは、ROM (read-only memory) とも呼ばれ、端末内に搭載された、データ、アプリ、ユーザーによって生成されたデータなどを保存するストレージです。
2.MTBF

1.5million hours

1million hours

MTBF(平均故障間隔)は製造元のデバイスが故障するまでの平均時間の見積もりを指します。
3.サポートされた暗号化のビット

256

256

AES(米国共通暗号アルゴリズム標準)の暗号はデータの保護に広く使われている方法です。これらは235ビットを最高レベルとした3レベルの暗号(128、192、256)で保護されます。
4.ショック耐性

1500G

1000G

インパクトや落下に対し、より耐性があります。
5.保証期間

5

3

保証期間中でカバーできる場合、不具合等があると交換を受けることができます。

読取速度

1.シーケンシャル読み込みスピード

550MB/s

3200MB/s

製造元に依る最大シーケンシャル読み込み速度です。どれだけデータをドライブがよく読み込めるかのテストの一つです。
2.ランダム読み込み速度

98000IOPS

750000IOPS

製造元に依る最大ランダム読み込み速度です。どれだけデータをドライブがよく読み込めるかのテストの一つです。

書き込み速度

1.シーケンシャル書き込み速度

520MB/s

1850MB/s

製造元に依る最大シーケンシャル書き込み速度です。どれだけデータをドライブがよく読み込めるかのテストの一つです。
2.最大ランダム書き込み速度

90000IOPS

380000IOPS

製造元に依る最大ランダム書き込み速度です。どれだけデータをドライブがよく読み込めるかのテストの一つです。

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